CDMSJ22010-650 SL_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有15A的漏极电流（ID）和650V的漏源电压（VDSS），导通电阻为260mΩ，支持-5V至!6V的栅源电压（VGS）范围，确保良好的开关控制与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高临界电场和热导率，该器件具备优异的耐压性能、高频工作能力及高温稳定性。适用于高功率密度的电力电子系统，如高效能电源转换装置、可再生能源发电中的逆变设备、高压直流变换模块及紧凑型开关电源设计，适合对系统效率和热管理有较高要求的应用场景。
