IPP65R190C7FKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为165mΩ，在高温与高频率工作条件下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-10V至@5V，确保器件在严苛环境中具备良好的开关稳定性与抗干扰能力。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统能效。适用于高功率密度电源转换装置，如高效直流-直流变换器、太阳能逆变系统及高性能开关电源模块，满足对热性能与可靠性要求较高的设计需求。
