FDS6672A_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，最大栅源电压（VGS）可达20V。器件在中等功率应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于开关电源、负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的功率管理模块。其电气参数支持高效能与紧凑型设计需求。
