IPL65R115CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用，有助于简化散热设计并提升系统整体效率。
