NTMT110N65S3HF-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景，能够在提升系统效率的同时减少散热需求。
