STL38N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为37A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，可在高开关频率下保持较低的热损耗，提升整体能效表现。
