STP24N60DM2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-10V至@5V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关特性、高温工作能力及低反向恢复电荷，适用于高效率功率变换架构。典型使用场景包括大功率开关电源、直流变换装置、储能系统中的逆变单元以及高功率密度电源模块设计。
