G3F25MT06L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，可在-10V至@5V的栅源电压范围内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率、热性能及紧凑布局有较高要求的电源转换系统。其电气参数组合有助于简化驱动设计并提升整体系统稳定性。
