DSEI2X31-06C-HXY_SOT-227_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅二极管 最小包装：13/管装 参数1：IF:250A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在对热性能和开关速度有较高要求的电力电子应用中具有显著优势。
