STP20N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持安全可靠的栅极驱动操作。采用碳化硅材料，器件具有优异的高频开关特性、耐高温性能及较低的开关损耗。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高压DC-DC转换模块、可再生能源发电逆变装置及储能系统的功率级设计，适合在高效率、高频率的电力变换场景中应用。
