IPL65R099C7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，在高效率电源系统、可再生能源转换装置以及高功率密度电力电子设备中可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效和系统响应速度。
