STP26N65DM2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛用于高效电源模块、可再生能源逆变系统、高密度开关电源及高压直流变换装置中，有助于提升系统整体能效与功率密度。
