IPT65R105G7XTMA1-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现突出，可有效提升系统整体能效与可靠性。
