TK17A65W5,S5X_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为160mΩ，栅源电压VGS工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、光伏逆变、储能系统及服务器电源等对功率密度和能效有较高要求的场合。
