AOT66918L_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其低阻特性有效减小了导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换系统。器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能，适合用于电机控制、不间断电源、电池管理系统等对电气性能和热稳定性有较高要求的场合。
