GC085N65FF_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。其宽VGS范围增强了驱动兼容性，可在多种拓扑结构中实现稳定可靠的开关操作。
