MSJP20N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），在导通状态下典型电阻为165mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定的栅极驱动控制，确保开关可靠性。依托碳化硅材料的高热导率与高耐压特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的应用场景，如高效电源转换系统、可再生能源发电设备中的逆变单元、高压直流变换模块以及对效率和体积有较高要求的电力电子装置。
