IPP65R110CFDAAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。其参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积和能效有较高要求的电力电子装置中，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。
