STTH120L06TV1-HXY_SOT-227_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅二极管 最小包装：13/管装 参数1：IF:250A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件可承受高达600A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备出色的瞬态电流耐受能力。其低导通压降与极小的反向漏电特性，结合碳化硅材料的高热导率和高频性能，适用于对效率、散热及动态响应要求较高的电力电子系统。
