AOT25S65L_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。栅源电压范围为-10V至@5V，确保器件在复杂电气环境下具备良好的开关稳定性与可靠性。基于碳化硅材料特性，该器件可在较高结温下稳定运行，同时降低开关损耗，适用于大功率电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块等应用，是实现小型化与高效能设计的理想选择之一。
