STDLED656-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:820mR 参数4：VGS:-8/+19V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.3A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至!9V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。
