STW20N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。碳化硅材料带来的高热导率和低开关损耗特性，使其适用于高频、高效率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的功率开关环节。
