NTPF082N65S3F-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达18A，导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电场强度与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。
