STP30N65DM6AG-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，器件在高频开关和高效率功率转换场景中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源系统。
