IPP65R095C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时在高温运行环境中保持良好的电气稳定性。
