DIW065SIC015-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:218A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为218A，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和较低的能量损耗。其宽栅压范围提升了与多种驱动电路的适配能力，同时具备良好的热稳定性和高效率表现，适用于对功率处理能力和系统紧凑性要求较高的电力电子应用。
