HXYT100N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):100A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V 参数4：二极管正向电流(IF):100A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT具备100A的集电极连续电流能力，可承受最高650V的集射极电压，适用于中高功率场景。其集射极饱和电压为1.45V，配合内置续流二极管（正向电流100A，正向压降1.55V），有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件在高频率开关应用中表现出良好的热稳定性和电流处理能力，适合用于电源转换、能量变换及电机驱动等电路设计，满足对功率密度与可靠性要求较高的需求。
