HXYS81N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:81A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源电压（VDSS）和81A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至21mΩ，适用于高效率功率转换设计。其采用宽禁带半导体材料，可实现更高的开关频率与工作温度，同时降低开关损耗。典型应用于高压直流变换、逆变电源、可再生能源发电系统及高密度电源模块中，适合对热管理与电气性能有严苛要求的场景。器件兼具快速体二极管响应与优异的抗雪崩能力，有助于提升系统整体能效与可靠性。
