HXY40N02D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V漏源电压（VDSS）和12V栅源电压（VGS）规格，适用于低电压大电流开关场景。其连续漏极电流可达40A，导通电阻低至7.5mΩ，有助于减少功率损耗并提高系统整体能效。器件具备优异的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于高密度电源转换、便携式电子设备的功率控制、电池管理系统以及各类直流变换电路，满足对小型化与高效率有要求的应用需求。
