HESDHC4V5B2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:240A 参数2：VRWM:4.5V 参数3：CJ:1000pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为双通道双向静电与浪涌保护阵列，专为高速信号线路防护设计。其工作反向截止电压为4.5V，满足低电压接口需求；在8/20μs电流波形下，最大通流能力达240A，可有效抑制瞬态过应力。结电容典型值为1000pF，适用于对信号完整性要求较高的数据传输场景。双向击穿特性使其能应对正负交替的瞬态干扰，广泛用于通信模块、便携式设备及多路信号接口的可靠防护。
