HXY70N07D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），持续漏极电流可达80A（ID），导通电阻低至6mΩ。器件具备优异的电流传导能力与低功耗特性，适用于高电流开关电路。其极低的导通电阻有效减少工作时的热量积累，提升系统能效。常用于高性能电源管理单元、便携式大功率设备、电动工具驱动电路及大电流DC-DC转换模块，适合对导通损耗敏感、要求高效率功率控制的电子系统应用。
