HXYS36N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压，连续漏极电流达36A，导通电阻为80毫欧，栅源额定电压为±20V，具备较强的电压耐受能力。依托碳化硅材料优势，器件支持高频开关操作，具备较低的导通与开关损耗，热稳定性良好。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换模块及可再生能源发电中的逆变单元，适合对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。
