HXY9N20P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:200V 参数3：RDON:220mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有200V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻为220mΩ，最大栅源电压可达20V。器件具备良好的开关特性和较高的耐压能力，适用于中等功率的电源管理系统。其结构设计有助于降低导通损耗，提高能效，在直流电机驱动、高精度电源转换电路及电池供电设备的功率控制模块中表现稳定。适合在需要可靠开关动作与热性能均衡的应用场景中使用。
