HXY40P02D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:12mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管，具有20A的连续漏极电流（ID）和-20V的漏源电压（VDSS），适用于低电压开关应用。其导通电阻（RDON）低至12mΩ，在12V栅源电压（VGS）下可实现较小的导通损耗，有助于提升系统效率。该器件采用P沟道设计，常用于电源管理电路中作为负载开关或反向电流保护元件，适合便携式设备、电池供电单元及各类嵌入式系统中的直流电平转换与功率控制场景。
