HESDLC12VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:2A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:1.5pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该单通道双向TVS二极管专为高速信号线路的瞬态电压防护设计。器件反向工作电压为12V，峰值脉冲电流能力达2A，具备低至1.5pF的典型结电容，可最大限度减少对高频信号传输的影响。双向结构使其能有效抑制正负双向瞬态干扰，响应时间短，可快速泄放静电放电（ESD）和浪涌能量。适用于USB接口、音频线路、传感器信号线等对信号完整性要求较高的电子设备端口保护，符合IEC 61000-4-2等电磁兼容标准要求。
