HXYS36N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至80mΩ，在高频高压应用中表现出优异的导通与开关性能。栅源额定电压为±20V，确保器件在高电场环境下的工作稳定性。采用碳化硅材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高功率密度电源转换系统，如高效直流变换器、光伏逆变模块及储能系统的功率级设计，可在高温与高电压条件下保持可靠运行。
