HXYS97N65MPI_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:97A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:25mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和97A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至25mΩ，有效降低导通损耗。采用宽禁带半导体材料碳化硅，具备优异的高频开关性能与高温工作稳定性。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、高压直流变换器及大功率射频能量应用，可显著提升系统整体能效并减小散热设计负担，是现代高效率电力电子电路中的关键器件。
