HXY50P03BD_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）耐受能力，适用于中等电压电源开关场景。其连续漏极电流（ID）可达50A，导通电阻低至15mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中具备良好的热稳定性。器件采用P沟道设计，在栅极无驱动信号时可实现导通状态，常用于高边开关、电池供电设备的电源管理及负载切换电路，满足对能效和空间利用率要求较高的设计需求。
