HXYS117N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:117A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:33mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管（SiC MOSFET）具备1200V的高漏源电压（VDSS）和117A的连续漏极电流能力，导通电阻仅为33mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐压性能与高温工作稳定性，同时降低开关损耗，提升系统能效。适用于高功率密度电源转换装置，如大功率开关电源、高压直流变换器、储能系统中的逆变电路以及可再生能源发电设备的功率级设计，适合在高频、高电压条件下实现高效电能转换，是先进电力电子系统中的关键开关元件。
