HXYS55N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：VGS:18V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和55A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为40mΩ，栅源电压最大支持18V。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的耐高压能力与快速开关特性，可有效减少开关损耗并提升系统效率。适用于高电压、高频率的电力转换场景，如大功率开关电源、高压直流配电模块、可再生能源逆变系统及高密度功率因数校正电路，能够在高温与高电场环境下稳定工作，满足严苛电力电子应用需求。
