HXYS63N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V漏源电压（VDSS）和63A连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）低至32mΩ，在15V栅源电压下可实现高效导通。采用碳化硅材料，显著提升器件的开关速度与耐高温性能，减少能量损耗。适用于高功率密度的直流-直流转换器、高压逆变装置、储能系统及大功率开关电源，可在高频工作条件下保持良好热稳定性与电气可靠性，满足对能效和空间利用率要求较高的电力转换场景。
