HXY50N06NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于中高电压功率场景。其连续漏极电流为50A，导通电阻典型值为12mΩ，有助于减少大电流下的功率损耗，提高系统整体能效。器件具有优异的开关速度与热稳定性，适用于直流电源变换、电池供电设备的功率控制、开关电源模块以及高效率电机驱动电路，可满足多种高性能功率管理需求。
