HXY13N50F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:400mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有500V的漏源电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS），可承受最高13A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(on)）低至400mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。器件采用标准封装，适用于开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等高电压、中等电流的应用场景。凭借稳定的电气参数和良好的热性能，可在较宽的工作条件下保持可靠运行，适合用于各类中高压功率控制电路设计。
