HXYS32N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源电压（VDSS）和32A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至75mΩ，在15V栅源电压下可实现高效开关。采用宽禁带半导体材料，具有优异的耐压能力与热稳定性。适用于高功率密度电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换器及储能系统的功率因数校正电路，可提升系统整体能效与工作频率，减小无源器件体积，满足严苛工况下的长期可靠运行需求。
