HXY16N65T_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:16A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS）能力，可持续通过16A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDSON）为450mΩ，在高电压应用中可有效控制导通损耗。适用于高电压开关电源、直流-直流转换电路以及需要高压功率控制的场合，作为关键开关元件实现电能转换与调节。N沟道结构配合高耐压特性，适合用于要求高效率与稳定性的功率管理系统中。
