HXYS29N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和37A的连续漏极电流（ID），导通电阻为60mΩ，栅源电压范围支持至15V。采用碳化硅材料，器件在高频工作条件下表现出低开关损耗与优异的热稳定性。适用于高效率的电源转换系统，如高压直流变换、不间断电源、可再生能源逆变装置及高密度功率模块。其快速响应特性和高耐压能力有助于提升系统能效，尤其适合在紧凑型设计与高温环境中长期稳定运行。
