HXY5N40P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:5.5A 参数2：VDSS:400V 参数3：RDON:920mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有400V的漏源电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS），可承受持续的5.5A漏极电流（ID）。导通电阻典型值为920mΩ，在中等功率开关应用中具备较低的导通损耗。器件采用标准封装，栅极驱动电压兼容性强，适用于需要高压侧开关控制的电路。广泛用于电源转换、电机驱动模块、LED照明调光及高效率DC-DC变换器中，作为主开关元件提供稳定可靠的性能。
