HXYS85N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:85A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和85A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至16mΩ，适用于高功率密度与高效率要求的电源系统。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备出色的耐压能力与热稳定性，可实现快速开关响应，有效降低开关损耗。其高性能参数使其广泛应用于大功率直流电源转换、高压逆变系统及高频率开关电源模块中，适合对系统效率和散热设计有严格要求的电力电子设备。
