HXY10N65P_TO-220H_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:860mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关场景。其导通电阻（RDS(on)）典型值为860mΩ，在额定条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为±30V，具备较高的驱动兼容性与可靠性。器件结合高耐压与适度电流特性，常用于电源转换拓扑，如隔离型DC-DC变换器、高压开关电源及电机驱动电路中的功率控制节点。
