HXY2012S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:12A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS）能力，适用于中等电压开关场景。其连续漏极电流（ID）可达12A，导通电阻低至8mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。低RDSON特性使其在高电流输出应用中表现出色，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度便携式设备中的功率控制。器件在高频率开关电路中具备良好的稳定性和热性能，满足对能效和空间紧凑设计的要求。
